LITOGRAFIA A FASCIO ELETTRONICO EBL
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Descrizione:
Litografia a fascio elettronico ad alta risoluzione (fino a 10nm) mediante utilizzo di resist positivi/negativi su campioni di dimensioni fino a 6” con riallineamento su marker
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Specifiche Tecniche:
- Tensione di accelerazione fino a 50 kV
- Campo di scrittura fino a 500 um
- 50 MHz pattern generator
- 18-bit pattern generator
- Corrente di fascio: da 50pA fino a 40nA
- Stitching: <= 25nm (|mean|+3sigma)
- Overlay: <= 25nm (|mean|+3sigma)
- Stabilità sulla posizione del fascio: <200nm/8h
- Stabilità della corrente di fascio: <0.5%/h
- Pattern periodici: <= 40nm
- Dimensioni di scrittura lineare <= 10nm
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Servizi offerti:
- Scrittura Stitching-free (FBMS-fixed beam moving stage)
- Correzione effetti di prossimità sulla dose (PEC)
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